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硅升华束源炉-SUSI是专门用于生长超薄Si薄膜，Si的III-V族掺杂，GaAs掺杂，超纯硅灯丝，全硅设计。束流的控制精度可达到0.1A/s。
产品特点：
专门用于生长Si薄膜；
III-V族和GaAs应用中的Si掺杂；
高纯材料设计；
水冷设计的电学接触；
全硅材料设计束源炉；
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