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分子束外延束源炉

  • 高温源-HTS/HTS-W
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高温源-HTS/HTS-W高温源-HTS/HTS-W

高温源-HTS/HTS-W

  • 型号:HTS/HTS-W
  • 产品描述:高温源HTS允许高蒸汽压的材料蒸发,因此可以在高束流速度下实现材料非常均匀地化合沉积。这可以通过最高加热到2000℃的一个较浅的宽口坩埚来实现。典型的应用是Si的MBE中P掺杂或者Ge蒸发。 HTS高温源坩埚下平方的灯丝有着重要作用。较短的坩埚长度和加热丝较好的屏蔽作用在坩埚内部提供了非常均匀的加热分布。 经典的HTS配备了自立式热解石墨灯丝,并首先运用于Si的MBE系统。它的设计是由碳升华源
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HTS/HTS-W高温源用于高蒸汽压的材料蒸发,因此可以在高束流速度下实现材料非常均匀地化合沉积。典型应用是MBE中做P-型掺杂时升华P或者Si太阳能电池研究和SiGe的MBE系统中Ge升华,也可以用于CaF2,Ti,Ni,Cr,Au,Er,La等材料。


特点:

法兰尺寸:CF40/CF63/CF100

真空腔体内长度:250~400mm

加热灯丝类型:HTS:石墨灯丝

HTS-W:两层W灯丝

灯丝屏蔽:HTS:完全由石墨部件屏蔽

HTS-W:钽辐射罩屏蔽

热偶:W5%Re/W26%Re( C型)

加热温度:最高2000℃

除气温度:最高2000℃

外部烘烤温度:250℃

冷却方式:内集成的水冷或独立冷屏

坩埚容量:5/25/200cm3

坩埚材料:C/W/PBN/BeO

选配:挡板



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