多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的,尤其是高纯材料以及难熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半导体材料Si和Ge,典型应用于SiGe的MBE系统。
特点:
法兰尺寸:CF200/CF250
腔体内直径:195mm/245mm
腔体内长度:对于4个8cc坩埚和3个15cc坩埚:250mm; 对于6个8cc坩埚:330mm; 对于6个15cc坩埚:350mm
坩埚容量:8cc, 15cc
加热区域:直径30mm(15°倾角)×15mm深度,直径37mm(15°倾角)×17mm深度
灯丝类型:W螺旋线圈,电子发射灯丝
外部烘烤温度:200℃
工作气压:1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速电压:4-10kV
电子束功率:最高6kW(3kW,根据电源功率)
灯丝电流:最高50A
束斑尺寸:直径约5mm
电子束发射方式:磁场偏转270°
束斑偏转:x方向±3A,y方向±3A
冷却方式:循环水冷却,水流量6l/min,压力3bar
选配:水冷屏,挡板
电话:010-80698356
邮箱:Info@be-instruments.com
地址: 北京市朝阳区霄云路36号国航大厦1310室