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分子束外延系统

  • Octoplus 500 EBV MBE系统
Octoplus 500 EBV MBE系统

Octoplus 500 EBV MBE系统

  • 型号:Octoplus 500 EBV
  • 产品描述:Octoplus 500 EBV MBE系统非常适合于金属、磁性材料、氧化物、拓扑绝缘材料及Si/SiGe异质结构材料生长应用研发与生产。标准的Octoplus 500 EBV MBE有10个呈放射状分布的源孔,我们建议8个源孔用于束流源、升华源或者相关组件。2个DN250CF大的源孔用于电子束蒸发枪,电子束蒸发也可以是多孔的电子枪EBVM。
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Octoplus 500 EBV MBE系统是为了在4英寸Si衬底上生长高质量的Si/SiGe材料而研发的。也可以升级为6英寸的样品。腔体也可以装载2个电子束蒸发和8个束流源或者装载气体喷出,或者表面处理。

装有束流源和电子束蒸发源的SiGe及其他材料的MBE系统

理想的Si/SiGe外延生长或者金属沉积

基片可以是3,4或者6英寸

2个大容量的电子枪源孔

8个束流源或者气体源孔

原位表征能力

易于使用和维护

洁净室装配和测试

强大的MBE博士专家支持团队

电子枪产生的电子束流可以通过四级质量谱仪检测。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。Octoplus 500 EBV MBE系统是公认的非常适合于金属、磁性材料、氧化物、拓扑绝缘材料及Si/SiGe异质结构材料生长应用研发与生产。

标准的Octoplus 500 EBV MBE有10个呈放射状分布的源孔,我们建议8个源孔用于束流源、升华源或者相关组件。2个DN250CF大的源孔用于电子束蒸发枪,电子束蒸发也可以是多孔的电子枪EBVM。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统,可以在不破坏MBE腔室真空的前提下,简便地进行样品传输。