晶体基本特性
晶体取向：
(100), (001), (111), (110) —— 立方晶体和四方晶体
(0001), (1102), (1120), (1010) ——六方晶体
高密勒指数的其他取向衬底或邻位衬底
取向精度： ± 0.5°，通常 < 0.3°，可按照要求达到更好取向精度。
尺寸：
5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm, 10 mm x 5 mm, 15 mm x 15 mm
12,7 mm x 12,7 mm, 20 mm x 20 mm, 25 mm x 25 mm, ø1", ø2"
横向公差： +/-0.05 mm
常规厚度：
0.5 mm, 1.0 mm, 最低0.1mm
纵向公差： +/- 0.05 mm，或者更好的公差要求
抛光：
单面或双面抛光
表面质量：50x 放大镜下无伤痕
微区粗糙度干涉仪测量
横向分辨率：0.64 µm，纵向分辨率：0.01 nm理论值
粗糙度: ( λcut off =0.08 mm)
Ra: < 0.5 nm
Rq : < 1.0 nm
Rt : < 2.0 nm
每一批样品都认证
可以根据用户要求对晶体侧面抛光
Orientation: ± 0.1°
Shape: ±0.05 mm
Flatness: lambda/10
Roughness: <0.5 nm
Parallelism: 5 arcsec
常见晶体种类
SrTiO3，LaAlO3，MgO，NdGaO3，LSAT，MgAl2O4，TiO2，LiNbO3，SrLaGaO4，SrLaAlO4，Nb:SiTiO3，ZrO2:Y，YAG，YAP，GGG，Al2O3，Ce:YAP，SiO2-glass， a-SiO2，PMN-PT
CaF2，MgF2，BaF2，LiF
ZnO，ZnS，CdS，Si/Ge，ZnS，ZnTe，CdTe，CdSe，SiC
埃伯仪器是专业的真空薄膜制备解决方案供应商，主要产品有分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 电子枪、离子枪等！！
