快速退火炉
温度范围：~600℃
加热板尺寸：15 x 30 mm
工作气氛：真空、惰性气体、氮氢混合气氛
AO600模式可以升温至最高温度。它可以从室温升至600℃，并可以实现精确的温度控制和维持。
AO600为了精确加热小尺寸的半导体材料样品到500℃/600℃并可以精确地控制而制造的。AO600应用于很多热处理过程，像半导体样品的快速热处理，电子器件合成，以及成分和温度对半导体的影响研究。
内置微型控制器可以设定电源和加热盘温度以及气体开关和真空泵启动。退火炉操作的所有所需功能都是直观的，并且可以通过箱体上的触摸屏显示设定。
为了得到干净的可重复的操作，并且为了避免样品在热处理过程中污染和氧化，可以在惰性气体(Ar,N2,等)或混合气体(H2/N2混合气体)氛围下或者真空(<5mbar)下进行操作。
样品的装载和取出可以通过移动退火炉上方的玻璃窗容易地完成。该玻璃窗也可以使光线容易地透过并接受。因此可以通过显微镜来观察退货过程中的样品。
加热盘是由AL2O3薄膜制造的。温度测量是通过PT100探测器得到的，它直接和加热器集成在一起。这种设计可以精确地控制温度并可以快速加热，决定了最小的温度误差，使得温度接收时非常低的热漂移。
点击可查看更多“产品分类”
直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
