样品架可用于III/V族MBE系统，GaN MBE系统，SiC和SiGe MBE系统等。钨加热样品架适用于大多数高温材料应用，III/V族材料生长MBE系统中通常使用钽丝加热器，SiGe的MBE系统推荐采用热解石墨加热器。 若样品台需要应用在氧气的环境下，则需考虑抗氧压样品台SH-O。
- 适用样品尺寸：2’’-6’’
- 加热温度：800-1200℃（取决于加热器材质）
- 转速0-30 rpm，连续可调节
- 加热器材质：Ta, W, PG, SiC等供选择
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
