电子束蒸发源是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的，尤其是高纯材料以及难熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半导体材料Si和Ge，典型应用于Si-Ge的MBE系统.
270°偏转e型电子枪
单坩埚容量：4 cc, 100 cc, 160 cc, 1000 cc；
多坩埚：3 x 15 cc，6 x 15 cc，6 x 8 cc
法兰尺寸：DN63CF, DN250CF
专为MBE设计，UHV兼容，烘烤温度可达230℃
德国Ferrotec公司提供高品质多坩埚电子束蒸蒸发源，适用于各种定制高真空镀膜系统。
单口水平安装电子束蒸发源-EBV是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的，尤其是高纯材料以及难熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半导体材料Si和Ge，典型应用于SiGe的MBE系统。
产品特点：
法兰尺寸：CF150／CF200／CF250
坩埚容量：40/100 cc
灯丝类型：W螺旋线圈，电子发射灯丝
工作气压：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速电压：4-10kV
电子束功率：最高10kW(3kW,5kW)
灯丝电流：最高50A
束斑尺寸：直径约5mm
电子束发射方式：磁场偏转270°
束斑偏转范围：x方向±3A，y方向±3A
外部烘烤温度：200℃
冷却方式：循环水冷却，水流量8l/min，压力3bar
坩埚：40cm3或100cm3加热区域
选配：水冷屏，挡板
单口电子束竖直蒸发源EBVV是为竖直向预留法兰口的超高真空设备而设计，可以满足竖直安装。非常适合低蒸气压材料，难熔金属或掺杂，如P，C等；以及新兴的高介电材料Al2O3，Pr3O3或者其他氧化物，电介质，也可以满足Si薄膜生长。
产品特点：
法兰尺寸：CF63／CF100
坩埚容量：4/5 cc
真空腔体内长度：234～400mm
加热口尺寸：Ø22mm (15° 锥角) x H 15mm ，Ø23mm (12°锥角) x H 15mm
外部烘烤温度：200℃
束斑尺寸：直径约5mm
束流偏转：270°磁场偏转
水冷：5l/min，压力约4bar
选配：挡板
多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的，尤其是高纯材料以及难熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半导体材料Si和Ge，典型应用于SiGe的MBE系统。
产品特点：
法兰尺寸：CF200／CF250
腔体内直径：195mm/245mm
腔体内长度：对于4个8cc坩埚和3个15cc坩埚：250mm; 对于6个8cc坩埚：330mm; 对于6个15cc坩埚：350mm
坩埚容量：8cc, 15cc
加热区域：直径30mm(15°倾角)×15mm深度，直径37mm(15°倾角)×17mm深度
灯丝类型：W螺旋线圈，电子发射灯丝
外部烘烤温度：200℃
工作气压：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速电压：4-10kV
电子束功率：最高6kW(3kW,根据电源功率)
灯丝电流：最高50A
束斑尺寸：直径约5mm
电子束发射方式：磁场偏转270°
束斑偏转：x方向±3A，y方向±3A
冷却方式：循环水冷却，水流量6l/min，压力3bar
选配：水冷屏，挡板
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
