对于一些特殊材料，如As，Sb，Se，S，Te等需要用裂解的方式进行外延生长。
砷裂解源VACS，专用于As元素相关的III-V族MBE生长
硒裂解源VSCS，专用于硒化物II-VI族MBE生长
磷硒裂解源VGCS，专门用于制备磷化物，例如，GaP，InP等材料，应用于HEMTS，HBTS和GaAlInP激光二极管等器件中。
VCCS，用于Sb，Te，Mg等腐蚀性材料的生长
砷元素阀式裂解源-VACS专门为As元素相关的III-V族MBE生长设计。
产品特点：
兼容各类MBE系统
坩埚容量：300 ~ 500 cc；
高精度快速束流控制；
集成水冷罩；
阀门充分开启截面；
VSCS阀式裂解源专门用于硒化物II-VI族分子束外延生长。
产品特点：
坩埚容量：300/500 cc；
自动阀门控制优化束流；
阀门防堵设计；
VGCS阀式裂解源专门用于制备磷化物，
例如，GaP，InP等材料，应用于HEMTS，HBTS和GaAlInP激光二极管等器件中。
产品特点：
P2产出比高 (P2 / P4>150)；
坩埚容量：100 ~ 420 cc；
大截面锥形阀；
快速稳定束流产出；
安全装载设计；
没有裂解区；
兼容各种MBE系统；
自动挡板控制；
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
