热蒸发源是为蒸发不同元素和化合物设计的，例如III/V族MBE系统，典型的蒸发材料有Ga，In，Al，Si，Be，Cu，Au等。针对不同的材料，我们需要使用不同的源炉。
中温束源炉 WEZ
- 温度范围：700℃~1400℃
- 坩埚容量：2~200 cc
- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型
低温束源炉 NTEZ
- 温度范围：80℃~1000℃
- 坩埚容量：2~200 cc
- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型
高温束源炉 HTEZ/HTS
- 温度范围：~2000℃
- 坩埚容量：1.5~35 cc
- 自支撑W丝加热、热解石墨加热丝
大容量束源炉 PEZ
- 温度范围：200℃~1400℃
- 坩埚容量：40~1700 cc
- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型
有机物束源炉 OME
- 温度范围：15℃~300℃
- 坩埚容量：2~35 cc
- 温度稳定性：< ±0.02℃
耐氧束源炉 OREZ
- 温度范围：200℃~1200℃
- 坩埚容量：10~125 cc
- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型
- 加热丝及屏蔽部件均选用耐氧材质
磷掺杂源 DECO
- 通过GaP裂解产生高纯P2，操作简单、安全
- 坩埚容量：10~420 cc
- 工作温度：900℃~1200℃
硅升华源 SUSI
- 工作温度：~1400℃
- 超纯硅加热丝及硅屏蔽件，束流的控制精度可达到0.1A/s
- 用于生长超薄Si薄膜，高纯Si掺杂，III-V族掺杂，GaAs掺杂
碳升华源 SUKO
- 工作温度：~2300℃
- 高纯PG加热丝
- 用于高纯C掺杂，III-V族掺杂，石墨烯研究
热裂解源 TCC
- 温度范围：~1300℃
- 坩埚容量：35, 130 cc
- 三温区设计
- 用于生长Te, Sb, Se, As, Mg
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
