分子束外延系统（MBE）OCTOPLUS-O 400是专门为氧化物薄膜生长设计的MBE系统。利用差分抽气的原理使得加热源可以在氧气或者臭氧环境下生长氧化物薄膜。适用于2英寸晶圆及2英寸以下小尺寸样品。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。
腔体尺寸： 450 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）
本底真空： < 2 × 10-10 mbar
样品尺寸： 最大2 英寸，向下兼容小尺寸样品
源炉法兰： 9 × DN63CF，最多可至12个
设计特点： 腔体差分设计，臭氧喷淋靠近衬底，源炉单独差分抽气
加 热 器： 抗氧化SiC加热器，衬底温度850℃
可 选 项： CO2激光加热，衬底温度1700℃
应用领域： 氧化物
系统特点：
● 强差分抽气，双气压区设计
● 高温下耐臭氧的SiC样品加热器
● 靠近样品台设计的臭氧喷气环
● 浓缩或者非浓缩臭氧源
● 原位生长表征
● 可伸缩式源炉设计，不破坏真空换料
● 9个MBE蒸发源CF法兰口，可选配额外3个
● 可兼容多坩埚式电子束蒸发
我们可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。
OCTOPLUS-O 400的设计说明：
区域1(蓝色)
● 氧化物生长区
● O2和O3的局域高压
● 靠近样品台的臭氧喷环，喷环与样品之间距离可调
● 较低的臭氧消耗
● 高温下耐臭氧的SiC加热器
● 强差分抽气
区域2(黄色)
● 蒸发源区
● 通向区域1的开放小孔形成的低压区
● 独立的分子泵
● 明显低于区域1的气压
● 限量通过式隔板
● 无需独立地对每个蒸发源进行差分抽气
● 可集成多坩埚的电子束蒸发
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
