OCTOPLUS 400

分子束外延系统（MBE）OCTOPLUS 400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。

腔体尺寸： 450 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）

本底真空： < 5 × 10^-11 mbar

样品尺寸： 最大3 英寸，向下兼容小尺寸样品

加   热   器： SiC，W等多种类型可选，最高温度达1500 ℃

源炉法兰： 10 × DN63CF

应用领域： II-V,   II-VI

系统特点：

● 用于研发的普适性MBE系统

● 应用于III/V族， II/VI族材料外延生长

● 适用于2-4英寸样品

● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)

● 可以升级和选配实现系统扩展

● 原位生长表征

● 易于使用和方便维护

我们可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板，蒸发源源和样品台加热器温度。最大程度确保了操作的重复性。

Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性，以及其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。

标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口，可以根据需求拓展到10个法兰口。快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力传输样品杆，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输。

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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源‍、电子枪