差分式反射式高能电子衍射仪TorrRHEED用于高气压活泼气体氛围薄膜生长系统，如PLD，MOMBE，CVD等。由于高气压活泼气体氛围下影响RHEED灯丝的使用寿命，以及气体分子对电子束斑散射和折射影响RHEED衍射图谱。因此选择差分反射式高能电子衍射仪TorrRHEED。
它可用于原位观察外延薄膜生长情况，为改进生长条件提供依据。反射高能衍射具有较高的表面灵敏度(10~40埃),但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。也可用来作物相鉴定、测定晶体取向和原子位置。此外，电子衍射可以用来测定晶体的空间群。
RHEED特点：
电子枪能量范围：30keV~50keV
工作气压范围：一级差分10mTorr，二级差分100mTorr
高性能电子枪：高亮度、小斑点、低分散、极低放气率
荧光屏：镀铝保护涂层
远程控制：实现电子束聚焦、偏转及电子闸门功能
电子束偏转角度：±15°
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直达具体产品分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
